1、采用风扇散热
变频器内装风扇可将变频器箱体内的热量带走。
2、降低运行环境温度
变频器是电力电子装置,内含电子元件、电解电容等,所以温度对其寿命影响较大。通用变频器的环境运行温度一般要求-10℃~+50℃,如果能降低变频器运行温度,就延长了变频器的使用寿命,性能也稳定。
在具体问题处理过程中,变频器过热故障应该按照自身的代码进行逐步定位,嘉信jx600系列变频器的过热故障代码显示oh1(整流模块过热)、oh2(逆变模块过热)。
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⑴uceo 通常按电源线电压u峰值的2倍来选择。
uceo***2厂2u 在电源电压为380v的变频器中,应有 uceo***2厂2u*380v=1074.8v,故选用 uceo=1200v的gtr是适宜的。
⑵icm 按额定电流in峰值的2倍来选择 icm***2厂2 in gtr是用电流信号进行驱动的,所需驱动功率较大,故基极驱动系统比较复杂,并使工作频率难以提高,这是其不足之处。 今天我告诉大家的是mosfet以及igbt
1、 功率场效应晶体管(power mosfet) 它的3个极分别是源极s、漏极d和栅极g
其工作特点是,艾默生ev1000变频器维修服务,g、s间的控制信号是电压信号ugs。改变ugs的大小,主电路的漏极电流id也跟着改变。由于g、s间的输入阻抗很大,故控制电流几乎为0,所需驱动功率很小。和gtr相比,其驱动系统比较简单,工作频率也比较高。此外,mosfet还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。
但是,功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢,故在变频器中的应用尚不能居------。
2、 绝缘栅双极晶体管(igbt) igbt是mosfet和gtr相结合的产物,是栅---绝缘栅结构(mos结构)的晶体管,它的三个极分别是集电极c、发射极e和栅极g。
工作特点是,控制部分与场效应晶体管相同,控制信号为电压信号uge,输入阻抗---,栅极电流i≈0,故驱动功率很小。而起主电路部分则与gtr相同,工作电流为集电极电流i。
至今,igbt的击穿电压也已做到1200v,集电极max饱和电流已超过1500a,由igbt作为逆变器件的变频器容量已达到250kva以上。
此外,其工作频率可达20khz。由igbt作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10khz以上,故电动机的电源波形比较平滑,基本无电磁噪声。
在变频器工作时,流过变频器的电流是很大的, 变频器产生的热量也是非常大的,不能忽视其---所产生的影响
通常,变频器安装在控制柜中。我们要了解一台变频器的---量大概是多少. 可以用以下公式估算: ---量的近似值= 变频器容量(kw)×55 [w]
在这里, 如果变频器容量是以恒转矩负载为准的 (过流能力150% * 60s)
如果变频器带有直流电抗器或交流电抗器, 并且也在柜子里面, 这时---量会一些。 电抗器安装在变频器侧面或测上方比较好。
这时可以用估算: 变频器容量(kw)×60 [w]
因为各变频器厂家的硬件都差不多, 所以上式可以针对各品牌的产品.
注意: 如果有制动电阻的话,因为制动电阻的散热量很大, 因此安装位置和变频器隔离开, 如装在柜子上面或旁边等。
1、状态故障监测:直流过/久压、直流过流、交流过流、速度偏差过大、接地故障、缺相等。
2、硬件故障检测:电流板故障、触发板故障、igbt故障、脉冲发生器故障等。
3、系统故障监测:w---hdog故障、系统参数异常、时钟故障等。
4、通讯故障监测:timeout、overrun等。
5、电源故障监测:当控制电源过高/过低---警。
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