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安装环境不准确导致的百年频器损坏

变频器是一台全电力半导体设备，英威腾gd100变频器维修中心，所以，它对周围环境的要求也和其他电力半导体设备相同。

1、环境湿度：相对湿度不超过90%（无结露现象）；

2、其它条件：在变频器的安装位置应无直射阳光、无腐蚀性气体及气体、尘埃少、海拔低于1000m等；

3、环境温度：现般要求为-10至40度。如散热条件好（如拿去外壳），则上限温度可以提高到50度；

变频器用gtr的选用

⑴uceo 通常按电源线电压u峰值的2倍来选择。

uceo***2厂2u 　在电源电压为380v的变频器中，应有 uceo***2厂2u*380v=1074.8v，故选用 uceo=1200v的gtr是适宜的。

⑵icm 按额定电流in峰值的2倍来选择　 icm***2厂2 in 　 gtr是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。 今天我告诉大家的是mosfet以及igbt

1、 功率场效应晶体管（power mosfet） 它的3个极分别是源极s、漏极d和栅极g

其工作特点是，g、s间的控制信号是电压信号ugs。改变ugs的大小，主电路的漏极电流id也跟着改变。由于g、s间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和gtr相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，mosfet还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。

但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居------。

2、 绝缘栅双极晶体管（igbt） igbt是mosfet和gtr相结合的产物，是栅---绝缘栅结构（mos结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极c、发射极e和栅极g。

工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号uge，输入阻抗---，栅极电流i≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与gtr相同，工作电流为集电极电流i。

至今，igbt的击穿电压也已做到1200v，集电极max饱和电流已超过1500a，由igbt作为逆变器件的变频器容量已达到250kva以上。

此外，其工作频率可达20khz。由igbt作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10khz以上，故电动机的电源波形比较平滑，基本无电磁噪声。

在变频器工作时，流过变频器的电流是很大的， 变频器产生的热量也是非常大的，不能忽视其---所产生的影响

通常，变频器安装在控制柜中。我们要了解一台变频器的---量大概是多少. 可以用以下公式估算: 　 ---量的近似值= 变频器容量（kw）×55 [w]

在这里， 如果变频器容量是以恒转矩负载为准的 (过流能力150% * 60s)

如果变频器带有直流电抗器或交流电抗器， 并且也在柜子里面， 这时---量会一些。 电抗器安装在变频器侧面或测上方比较好。

这时可以用估算: 变频器容量（kw）×60 [w]

因为各变频器厂家的硬件都差不多， 所以上式可以针对各品牌的产品.

注意： 如果有制动电阻的话，因为制动电阻的散热量很大， 因此安装位置和变频器隔离开， 如装在柜子上面或旁边等。